天岳先进：已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术

每经AI快讯，有投资人在投资人互动平台提问:我从心底告诉你，你的公司真的不适合上市发展，你要低调做半绝缘基板以你现在的实力，恐怕没有优势，资本市场也抛弃了你的公司

岳6月13日在投资者互动平台上表示，公司自成立以来，一直专注于碳化硅衬底的制备技术经过十余年的技术发展，自主研发了2—6英寸半绝缘导电碳化硅衬底制备技术，系统掌握了碳化硅单晶设备设计制造技术，热场模拟设计技术，高纯碳化硅粉末合成技术，不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电性能控制技术，不同尺寸碳化硅衬底的切割和研磨技术4英寸半绝缘碳化硅衬底在国内较早实现产业化，成为世界上为数不多的能够批量供应高质量半绝缘碳化硅衬底的企业完成6英寸导电碳化硅衬底研发，开始小批量销售公司在知识产权和技术积累，重大科研和产业化能力，产品和市场引进等方面保持领先的竞争优势公司拥有碳化硅半导体材料R&D技术，国家地方联合工程研究中心，国家博士后研究中心等国家级和省级R&D平台拥有一批高素质的R&D人才，承担了国家核高技术专项，国家新一代宽带无线移动通信网专项，国家新材料专项，国家高技术研究发展计划，国家重大科技成果转化专项等多项国家级，省部级项目截至2021年底，公司拥有授权专利415项，其中国内发明专利98项，自成立以来，公司获得了多项国家和省级荣誉，包括国家科技进步一等奖2021年，公司获得重大奖项，包括工信部第六批制造业单项冠军名单，工信部专新小巨人企业，山东省新材料龙头企业50强等未来，公司将始终以客户为中心，不断加大R&D投入，加强自主创新，加快产品迭代，提高产品质量，增加产能，扩大市场份额，努力成为国际宽带隙半导体行业的领军企业