东芝开发出业界首款2200V双碳化硅SiCMOSFET模块

今日宣布，推出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流(DC)额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V的低漏极-源极导通电压(传感器)。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ和11mJ，与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。

东芝将不断创新，持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

应用

工业设备

? 可再生能源发电系统

? 储能系统

? 工业设备用电机控制设备

? 高频DC-DC转换器等设备